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SUM90N06-5m5P
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
60 0.0055 at V GS = 10 V
I D (A)
90 d
Q g (Typ)
78.5
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFETS
? 175 °C Junction Temperature
? 100 % R g and UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? Power Supply
- Secondary Synchronous Rectification
? Industrial
TO-263
G
D
G
D S
Top V ie w
S
Orderin g Information: SUM90 N 06-5m5P-E3 (Lead (P b )-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
Unit
V
Single Avalanche Energy
272
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 70 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C c
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
90 d
90 d
240
50
125
b
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Case (Drain)
c
R thJA
R thJC
40
0.55
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Package limited.
Document Number: 69537
S-72506-Rev. A, 03-Dec-07
www.vishay.com
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